Grafeno permitirá criar memórias RAM 10 mil vezes mais rápidas

Pesquisadores da Universidade Fudan desenvolveram o dispositivo de armazenamento semicondutor mais rápido já registrado, uma memória flash não volátil batizada de “PoX”, capaz de programar um único bit em 400 picossegundos (0,0000000004 s) — equivalente a 25 bilhões de operações por segundo. O estudo, publicado na revista Nature, eleva a memória não volátil a um patamar de velocidade antes exclusivo das memórias voláteis mais rápidas e estabelece um novo marco para hardware de IA, que demanda alto processamento de dados.

O segredo da velocidade está no uso de grafeno Dirac bidimensional em vez do silício tradicional. Então esse material permite que os elétrons se movam com muito mais eficiência. Assim, a PoX consegue programar um bit em apenas 400 picossegundos.

Ao contrário das memórias flash comuns, que enfrentam gargalos de injeção de carga, a PoX resolve esse problema com uma superinjeção bidimensional. Porém essa inovação só foi possível graças à combinação do grafeno com inteligência artificial para otimizar os processos.

O grafeno, por ser altamente condutor e fino, reduz a resistência no transporte de elétrons. Isso acelera as operações de leitura e gravação. Como resultado, o PoX se aproxima da performance das memórias RAM.

O avanço ainda fortalece os esforços da China para liderança em semicondutores. A equipe não divulgou dados sobre durabilidade ou produção, mas o uso de grafeno sugere compatibilidade com processos industriais já existentes.