Pesquisadora da USP desenvolve memória de computador inovadora com grafeno

Marina Sparvoli, pesquisadora da Universidade de São Paulo (USP), desenvolveu uma técnica inovadora para a produção de memristores, componentes eletrônicos essenciais para a computação neurofórmica, o que imita o cérebro, e para computadores que não perdem dados na falta de energia. Marina e seus colegas desenvolveram um mecanismo de memória de computador com base nos memristores por meio de materiais nunca combinados antes com este objetivo, criando uma memória Resistiva (ReRAM) utilizando grafeno.

A nova arquitetura de memristor consiste em uma camada de grafeno depositada entre os contatos de oxinitreto de índio-estanho (ITON), envolto de uma capa de alumínio.

Isso torna possível que o componente mude entre um comportamento de baixa resistência à passagem de corrente elétrica e outro de alta resistência.

Outra vantagem do grafeno é que o sanduíche de semicondutores inteiro é transparente, possibilitando seu uso em arquiteturas eletrônicas próximas à superfície das telas dos aparelhos, mitigando ainda mais o espaço ocupado, tornando a miniaturização, algo mais simples.

O grande benefício desta nova tecnologia é que, ao contrário das memórias eletrônicas atuais, as informações contidas nas memórias resistivas não somem quando o aparelho é desligado. Quando se liga um computador comum, o sistema operacional é copiado do dispositivo de armazenamento definitivo, que é mais lento, para a memória RAM, que é muito mais rápida. Este processo é demorado, entretanto, com o uso das memórias ReRAM poderá ser dispensado. 

De acordo com um chefe do laboratório da USP, professor José Chubaci, este é um projeto na fronteira do conhecimento mundial, que poderá ser utilizado no mercado internacional daqui a 10, 15 ou 20 anos. Marina conseguiu gerar memórias resistivas utilizando grafeno com o ITON, o óxido de índio-estanho com dopagem de nitrogênio, expandindo o espaço de pesquisa no setor.